ẢNH HƯỞNG CỦA VIỆC CẤY HELIUM VÀO Si VỚI NỒNG ĐỘ PHA
TẠP CAO SỬ DỤNG KỸ THUẬT CHÙM POSITRON BEAM
Châu Văn Tạo1, Trần Duy Tập1, Trịnh Hoa Lăng1, Trần Phong Dũng1,
Phan Lê Hoàng Sang1, Lưu Anh Tuyên2, Atsuo Kawasuso3, Masaki Maekawa3
1Khoa Vật Lý, Trường Đại Học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Tp. HCM
2Trung Tâm Hạt Nhân Thành Phố Hồ Chí Minh
3Viện Năng Lượng Nguyên Tử Nhật Bản

Tóm tắt
    Sự vận động của các khuyết tật theo nhiệt độ nung do cấy Helium tại nhiệt độ phòng với liều chiếu 1×1017 cm-2 và năng lượng 200 keV vào tinh thể bán dẫn Si loại n với nồng độ pha tạp cao được nghiên cứu bởi kỹ thuật chùm positron beam. Các khuyết tật đã được phát hiện sau khi cấy Helium vào Si. Tại nhiệt độ nung 3000C đã phát hiện các nội nguyên tử Helium bẫy vào các vacancy và hình thành bọt khí Helium. Một phần Helium bị khuếch tán ra ngoài tại 6000C và microvoid hình thành tại 9000C. Đường cong tỉ số của phổ nở Doppler đã được thực hiện để khẳng định có sự hủy giữa positron với bọt khí Helium và để ước tính nồng độ của bọt khí Helium có trong mẫu.

EFFECTS OF HELIUM IMPLANTATION IN HIGHLY DOPED
SILICON USING A SLOW POSITRON BEAM
Chau Van Tao1, Tran Duy Tap1, Trinh Hoa Lang1, Tran Phong Dung1,
Phan Le Hoang Sang1, Luu Anh Tuyen2, Atsuo Kawasuso3, Masaki Maekawa3
1Faculty of Physics, University of Science-VNU HCMC
2Center for Nuclear Techniques in Ho Chi Minh city
3Japan Atomic Energy Research Institute

Abstract
    Annealing processes of defects in n-type highly doped Si induced by the implantation, at room temperature, of 1×1017 and 200-keV He+-ions/cm2 were studied by means of a slow positron beam. Vacancy-type defects were found to appear after asimplantation. Helium atoms as interstitials trapped into vacancies and formed helium bubbles after annealing at 3000C. Some heliums released from vacancies at 6000C and microvoids formed at 9000C. The ratio curves of coincidence Doppler broadening (CDB) spectra was performed to confirm the annihilation between positron and helium bubbles and estimate the concentration of helium bubbles.