|
MÔ PHỎNG MỘT SỐ ĐẶC TÍNH CỦA
TRANSISTOR
DÙNG ỐNG NANO CACBON
Đinh Sỹ Hiền1, Thi Trần Anh Tuấn2, Nguyễn Thị Lưỡng3
1 Khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Tp.
HCM
2 Khoa Khoa học Cơ bản, Trường Đại học Trà Vinh
3 Khoa Khoa học Cơ bản, Trường Sư phạm Kỹ thuật Tp. HCM
Tóm tắt
Chúng tôi đưa ra mô hình CNTFET đồng trục, dùng ống Nano
Cacbon (CNT) dạng đơn tường làm kênh dẫn. CNTFET có cổng hình trụ bao quanh ống
CNT. Để mô phỏng về đặc tính dòng-thế của CNTFET, chúng tôi dùng thuật toán hàm
Green không cân bằng (NEGF), mô tả xác suất truyền của điện tử và thuyết đạn đạo
cho điện tử chuyển dời qua CNT. Chương trình sử dụng giao diện GUI trong Matlab
là phương tiện để tính toán và trình bày kết quả. Thêm vào đó, những ảnh hưởng
của các thông số liên quan đến đặc trưng dòng thế như: đường kính, chiều dài CNT,
độ dày cổng Oxit, những loại vật liệu làm nguồn máng, thế cổng Vg,
nhiệt độ, cũng được mô phỏng. Đặc tuyến dòng-thế sẽ được trình bày bằng biểu
thức giải tích.
Từ khóa: CNTFET đồng trục, Ống nano cacbon (CNT), CNTFET,
NEGF, GUI
SIMULATING CHARACTERISTIC'S CARBON NANOTUBE
FIELD - EFFECT TRANSISTOR (CNTFET)
Đinh Sy Hien1, Thi Tran Anh Tuan2, Nguyen Thi Luong3
1Faculty of Electronics and Telecommunications, University of Science
-VNU HCMC
2Faculty of Basic Science, Tra Vinh University.
3 Faculty of Basic Science, University of Technical Education
HoChiMinh City.
Abstract
We provide a model of coaxial CNTFET geometry, using single
wall nanotube. These devices would exhibit wrap-around gates that maximize
capacitive coupling between the gate electrode and the nanotube channel. The
results of simulations of I-V characteristics for CNTFETs are presented. Here we
use non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism to describe the
possibilities of electrons and theory of ballistic transport in nanotube
channel. This simulator also includes a graphic user interface (GUI) of Matlab
that enables parameter entry, calculation control, display of calculation
results. In this work, we review the capabilities of the simulator, summarize
the theoretical approach and experimental results. Current-voltage
characteristics are a function of the variables such as: diameter of CNT, the
length of CNT, the gate oxide thickness, Vg of voltage, types of
materials of Source-Drain, Gate, and temperature. The obtained I-V
characteristics of the CNTFET are also presented by analytical equations.
Key words: CNT, CNTFET, NEGF, GUI
|
