ĐIỆN TRỞ COULOMB DRAG TRONG CẤU TRÚC LỚP ĐÔI
Nguyễn Ngọc Duy Phương, Nguyễn Quốc Khánh
Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Tp. HCM
 

Tóm tắt
    Chúng tôi đã thực hiện tính toán lý thuyết về điện trở Coulomb drag trong cấu trúc lớp đôi điện tử-điện tử có xét đến hiệu ứng tương quan, bề dày lớp và nhận được các kết quả khá phù hợp với các kết quả của các tác giả khác công bố gần đây. Chúng tôi cũng xét trường hợp hệ không đối xứng với mật độ hạt các lớp khác nhau. Các kết quả nhận được có dáng điệu gần giống với thực nghiệm. Để phù hợp hoàn toàn với thực nghiệm cần phải sử dụng bổ chính trường định xứ chính xác hơn và sẽ được chúng tôi xem xét trong thời gian tới.
 

COULOMB DRAG RESISTIVITY IN DOUBLE-LAYER SYSTEMS
Nguyen Ngoc Duy Phuong, Nguyen Quoc Khanh
Faculty of Physics, University of Science-VNU HCMC
 

Abstract
    We have calculated the Coulomb drag resistivity of electron-electron bilayers including the correlation and finite width effects . The obtained results are in very good agreement with the recent calculations. We have also considered the asymetric bilayers and our results show similar behaviour observed in recent experiments. To obtain better agreement with experiments it is necessary to use more exact local-field corrections.