CÁC ĐẶC TRƯNG KHUYẾT TẬT CỦA 4H-SiC DO CẤY HYDROGEN
SỬ DỤNG PHỔ BỨC XẠ HỦY POSITRON
Châu Văn Tạo1, Trần Duy Tập1, Trịnh Hoa Lăng1, Trần Phong Dũng1, Phan Lê Hoàng
Sang1, Lưu Anh Tuyên2, Atsuo Kawasuso3, Masaki Maekawa3, Zs. Kajcsos4
1Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Tp. HCM
2Trung Tâm Hạt Nhân Thành Phố Hồ Chí Minh
3Viện Năng Lượng Nguyên Tử Nhật Bản
4Viện Năng Lượng Nguyên Tử Hungary

Tóm tắt
    Sự vận động của các khuyết tật theo nhiệt độ nung của tinh thể bán dẫn 4H-SiC loại n do cấy hydrogen tại nhiệt độ phòng với liều chiếu 1×1016 cm-2 và năng lượng 80 keV được ghi nhận bởi phổ bức xạ hủy positron. Giá trị tham số S tại 1.038 được xác định là của silicon vacancy. Không có carbon vacancy nào được ghi nhận. Các silicon vacancy bị khuếch tán ra ngoài theo nhiệt độ nung, nhưng tại nhiệt độ cao ( > 10000C) trong tinh thể SiC vẫn tồn tại khuyết tật. Theo tính toán từ chương trình mô phỏng SRIM, nồng độ silicon vacancy được tạo ra do cấy hydrogen chiếm ưu thế hơn hẳn so với carbon vacancy. Sự tuyến tính của đường thẳng các tham số (S,W) cho thấy rằng các silicon vacancy là trung tâm bẫypositron chủ yếu sau khi cấy hydrogen.
 

CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN 4H-SiC BY HYDROGEN
IMPLANTATION USING POSITRON ANNIHILATION
SPECTROSCOPY
Chau Van Tao1, Tran Duy Tap1, Trinh Hoa Lang1, Tran Phong Dung1, Phan Le Hoang
Sang1, Luu Anh Tuyen2, Atsuo Kawasuso3, Masaki Maekawa3, Zs. Kajcsos4
1Faculty of Physics, University of Science-VNU HCMC
2Center for Nuclear Techniques in Ho Chi Minh city
3Japan Atomic Energy Research Institute
4Hungary Atomic Energy Research Institute

Abstract
    The annealing behavior of defects in n-type 4H-SiC produced by the implantation, at room temperature, of 1×1016 and 80-keV H+-ions/cm2 was measured using positron annihilation spectroscopy. The S parameter of 1.038 was related to silicon vacancies. No carbon vacancy-type defects were observed. VSi defects were annealed out, but other vacancy-type defects still remained after high annealing processes (> 10000C). The concentration of silicon vacancy-type defects, caculated from SRIM simulation, was more dominant to this carbon vacancy. The linear correlation of (S,W) data shows that siliconvacancy- related defects are the major positron traps.