CHẾ TẠO MÀNG ZnO:Ti ĐỂ NÂNG CAO ĐỘ DẪN ĐIỆN CỦA MÀNG
Hồ Văn Bình, Lê Vũ Tuấn Hùng, Nguyễn Thị Ngọc Nhiên, Dương Ái Phương
Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Tp. HCM

Tóm tắt
    Màng ZnO:Ti được chế tạo trên đế thủy tinh từ các bia gốm ZnO pha tạp với nồng độ Ti khác nhau và bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Kết quả thực nghiệm cho thấy đây là các màng trong suốt dẫn điện với độ truyền qua khá cao. Với nồng độ pha tạp Ti thích hợp (~1.5% Ti), ta có thể làm gia tăng độ dẫn điện của màng. Độ truyền qua của màng và độ rộng vùng cấm Eg của màng có thể xác định bằng phương pháp đo truyền qua UVVis, cấu trúc màng được xác định bằng nhiễu xạ tia X, độ dẫn điện của màng được xác định bằng phương pháp 4 đầu dò, và độ mấp mô bề mặt của màng đuợc xác định bằng phương
pháp đo AFM.

IMPROVING THE CONDUCTANCE OF ZnO THIN FILMS BY
DOPING WITH Ti
Hồ Văn Bình, Lê Vũ Tuấn Hùng, Nguyễn Thị Ngọc Nhiên, Dương Ái Phương
1Faculty of Physics, University of Science-VNU HCMC
Email: lthung@phys.hcmuns.edu.vn

Abstract
    The Ti-doped ZnO films were deposited onto glass substrates from ceramic targets ZnO with various Ti concentrations using a DC magnetron sputtering. The experimental results show that all of thin films are transparent and conductive oxide films. with appropriate Ti concentration (~ 1.5% Ti), the conductance of films can be improved. Optical characteristics of thin films was determined by UV-Vis spectroscopy, the thickness of thin films was measured by Stylus method, the electrical resistivity was measured by four-point probe, and the roughness of films was determined by AFM.
    Key words: doped, concentration, conductance, target.