SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG QUÁ TRÌNH PHÚN
XẠ MAGNETRON VÀ PHƯƠNG PHÁP TƯƠNG QUAN ĐỂ
TẠO MÀNG VÀ NGHIÊN CỨU MÀNG MỎNG Al2O3 Giang
Văn Phúc , Lê Vũ Tuấn Hùng1, Nguyễn Văn Đến1, Huỳnh Thành Đạt2 a) Đại học An Giang, AnGiang 1 Khoa Vật lý, Trường Đại học
Khoa học Tự Nhiên 2
Đại học Quốc Gia , Tp Hồ Chí Minh Tóm tắt: Al2O3
được ứng dụng rộng rãi nhờ các tính chất
bền cơ, nhiệt và hóa học. Mục tiêu
của bài viết này là mô phỏng dựa trên phương pháp Các kết quả bao gồm
(a) các phân bố góc và năng lượng phún xạ ban
đầu, (b) quá trình chuyển dời các hạt phún xạ,
(c) phân bố không gian, năng lượng và góc của hạt
phún xạ ở bề mặt đế, (d) sự lắng
đọng của màng có tính đến sự khuếch
tán. (e) Phổ dao động lý thuyết của màng Al2O3. Các kết quả được
so sánh với các kết quả tương tự của
các tác giả khác và với kết quả thực nghiệm
để hòan thiện. THE INVESTIGATION OF AL2O3 THIN FILM USING THE SIMULATION OF THE MAGNETRON
SPUTTERING AND CORELATION METHOD. Giang van Phuc, Le Vu Tuan Hung1,
Nguyen Van Den1, Huynh Thanh Dat 2 1 Faculty of Physics, 2 National
University of HCMC Abstract: Al2O3 is used for
their properties of anti erosion and
anti atomic oxygen effects. The aim of
this paper is the simulation which based on the The results of this work included (a) the initial
energetic and angular distributions of sputtered atoms, (b) the transport
process of sputtered particles, (c) the
spatial, energetic and angular distribution of sputtered atoms at the
substrate, (d) the sputtered atom deposition including the diffusions. (e) The
calculated IR spectra of Al2O3. These results have been compared to those of the other authors and to the results of experimental investigations for the accomplishment. |