NGHIÊN CỨU PHỔ GAMMA TÁN XẠ NGƯỢC

NGHIÊN CỨU PHỔ GAMMA TÁN XẠ NGƯỢC

CỦA ĐẦU DÒ HPGE BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP

 

Trương Thị Hồng Loan, Trần Ái Khanh, Trần Thiện Thanh,

Đặng Nguyên Phương, Phan Thị Quý Trúc, Trần Đăng Hoàng

Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên

           

Tóm tắt:

           

            Trong công trình này, thí nghiệm mô phỏng phổ gamma tán xạ ngược lên nhôm của đầu dò HPGe được thực hiện. Thí nghiệm được tiến hành với nguồn Ir-192 năng lượng 316.5 keV hoạt độ 1 Ci, dạng cầu đường kính 0.5 cm đặt trong collimator. Khi tăng góc tán xạ từ 600 đến 1200 với lá nhôm được nghiêng một góc so với tia tới (300 và 450), trên phổ tán xạ cho thấy thành phần tán xạ một lần tăng và thành phần tán xạ nhiều lần giảm. Khi thay đổi bề dày lá nhôm, thành phần tán xạ một lần tăng và đạt đến trị số bão hoà khi đạt đến bề dày 1 cm (đối với năng lượng 316.5 keV). Các kết quả này là nền tảng để những người thực hiện thí nghiệm về gamma tán xạ ngược có thể tham khảo và chọn lựa điều kiện làm việc tối ưu khi áp dụng phương pháp này trong kiểm tra mật độ hay bề dày mẫu và khuyết tật của mẫu.

 

 

 

 

 

 

 

STUDY ON THE BACK SCATTERING GAMMA SPECTRA OF HPGE DETECTOR BY USING MCNP CODE

 

Truong Thi Hong Loan, Tran Ai Khanh, Tran Thien Thanh,

Dang Nguyen Phuong, Phan Thi Quy Truc, Tran Dang Hoang

Faculty of Physics - University of Natural Science

 

Abstract:

 

            In this work, the simulation of back scattering gamma spectra of HPGe detector was carried out. The simulation was made with the 316.5 keV peak of the 1 Ci 0.5 cm diameter sphere Ir-192 source housed in a collimator. When increasing the scattering angle from 600 to 1200 with the aluminum target placed at 300 and 450 angle to the incident beam, the spectra show that the single scattering component increase and the multi scattering component decrease. When changing the thickness of the target, the scattering component increase and saturate at 1 cm thickness. These results is the base to the back scattering spectra experimentalists who can consult and choice the best condition while applying this method in testing densities or thickness of the sample and finding sample defects.