|
HIỆU ỨNG HALL TRÊN MÀNG
MỎNG BÁN DẪN ZnO:Al Trương Tinh Hà1),
Đào Vĩnh Ái2, Trần Quang Trung2, Lê
Khắc Bình2, Trần Tuấn2 1 Khoa Vật Lý - Trường Đại học Sư Phạm TP.HCM 2 Bộ Môn Khoa Học Vật Liệu - Đại học Khoa Học Tự Nhiên Tóm tắt Công trình này đã đề cập đến một số vấn đề liên quan đến kỹ thuật Van der Pauw khi sử dụng hiệu ứng Hall để đo đạc điện trở suất mặt và nồng độ hạt tải của màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO:Al/thủy tinh. Cụ thể là: cơ sở của kỹ thuật Van der Pauw, cách thức tiến hành thực nghiệm, các sai số và nguyên nhân gây ra chúng, cách khắc phục, các chương trình tính toán phục vụ yêu cầu đo đạc. Các thông số điện trở mặt và nồng độ hạt tải thu được từ hiệu ứng Hall được đưa ra so sánh với các kết quả thu được từ phương pháp 4 đầu dò và phổ truyền qua. Kết quả cho thấy phương pháp đã nêu có thể dùng để xác định các thông số điện của các màng mỏng bán dẫn . HALL’S EFFECT OF SEMICONDUCTOR ZnO:Al THIN FILMS Truong Tinh Ha1, Dao
Vinh Ai2, Tran Quang Trung2, Le Khac Binh2,
Tran Tuan2 1 Physics Department –University of Pedagogy HCMC 2 Department
of Materials Science - Abstract This work described some issues related to the Van der Pauw’s technique when using Hall’s effect to measure sheet resistance and carrier’s density of ZnO:Al thin films. These issues are: fundamentals of Van der Pauw’s technique, experimental directions, errors, computer programs… Sheet resistance and carrier’s density received from this work are compared with those from 4 probes method and transmission spectra. The results showed that this method can be used to determine the electrical parameters of semiconductor thin films. |