TỔNG HỢP CuCr_1-xMg_xO₂ DẠNG KHỐI CHO TẠO MÀNG MỎNG

BÁN DẪN LOẠI P BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ

                                                                                                                                                        

            Trần Cao Vinh, Nguyễn Trương Bích Trâm, Cao Thị Mỹ Dung, Tạ Thị Kiều Hạnh

      Phòng Thí nghiệm Vật liệu Kỹ thuật cao – Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên

 

Tóm tắt:

 

CuCr_1-xMg_xO₂ được tổng hợp bằng thiêu kết hỗn hợp các ôxít Cu₂O, Cr₂O₃ và MgO với x ~ 0.05 ở nhiệt độ 1420⁰C trong 6 giờ trong không khí. Hợp chất tạo thành dẫn điện loại p với độ dẫn là 3 S.cm^-1 và có cấu trúc delafossite được xác định bằng nhiễu xạ tia X. Hợp chất này được sử dụng để làm bia trong phương pháp phún xạ magnetron cho tạo màng mỏng bán dẫn loại p.

 

 

 

 

 

 

SYNTHESIZING CuCr_1-xMg_xO₂ IN BULK FORM FOR DEPOSITION OF P-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILMS BY SPUTTERING

 

Tran Cao Vinh, Nguyen Truong Bich Tram, Cao Thi My Dung, Ta Thi Kieu Hanh

      Advanced Materials Laboratory – University of Natural Sciences

 

Abstract

 

CuCr_1-xMg_xO₂ has been synthesized by sintering a mixture of oxides Cu₂O, Cr₂O₃ and MgO with x ~ 0.05 at 1420⁰C for 6 h in air. The resultant compound has p-type conductivity being 3 S.cm^-1  and delafossite structure determined by 4-point probe and X-ray diffraction. The compound is used as a sputtering target for deposition of  p-type semiconductor thin films.