TẠO MÀNG ZnO PHA TẠP Al, Ga

BẰNG PHÚN XẠ MAGNETRON RF

 

          Trần Cao Vinh, Nguyễn Hữu Chí, Dương Quang Long, Cao Thị Mỹ Dung

Trường Ðại học Khoa học Tự Nhiên - ÐHQG tp.HCM

 

Tóm tắt:

 

Màng mỏng trong suốt dẫn điện oxýt kẽm pha tạp Al và Ga được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron rf (radio frequency) từ bia gốm qua thiêu kết hỗn hợp bột ZnO (99.5%) trộn lần lượt với bột Al₂O₃ (99.5%) và bột Ga₂O₃ (99.99%) nén với áp lực 1400kg/cm² ở nhiệt độ 1500⁰C. Một số tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng được khảo sát theo các điều kiện tạo màng như công suất, nhiệt độ đế, áp suất và hàm lượng các oxýt pha tạp trong bia.

 

 

FORMING Al- AND Ga - DOPED ZnO

BY RF MAGNETRON SPUTTERING

 

Tran Cao Vinh, Nguyen Huu Chi, Duong Quang Long, Cao Thi My Dung

University of Natural Sciences - VNU.HCM

 

Abstract:

 

Transparent conducting Aluminium- and Gallium- doped Zinc oxide thin films were prepared by rf magnetron sputtering using ceramic oxide targets. Two mixtures of Al₂O₃ (99.5%) - ZnO (99.5%) and Ga₂O₃ (99.99%) - ZnO (99.5%) were pressed at 1400kg/cm² and sintered at 1500⁰C. Some of optical, electrical and texture properties of these thin films were found to depend on deposition conditions and dopant concentration in the targets.